應(yìng)用(yòng)領域及(jí)原理

一(yī)台(tái)同(tóng)时(shí)擁有(yǒu)3D-AOI系(xì)統與(yǔ)2D-Ai半導體(tǐ)缺陷大(dà)模型檢測系(xì)統的(de)綜合固晶機(jī)，2um的(de)浮動(dòng)高(gāo)度(dù)檢測與(yǔ)定(dìng)位技術(shù)，解(jiě)決超薄芯片(piàn)與(yǔ)保證银(yín)胶(jiāo)厚度(dù)貼裝(zhuāng)工藝問(wèn)題(tí)，全(quán)閉环(huán)生(shēng)産管(guǎn)控良率，为(wèi)高(gāo)要(yào)求封(fēng)裝(zhuāng)工藝提(tí)供穩定(dìng)可(kě)靠的(de)技術(shù)保障。

設備優勢

* 2D多(duō)重(zhòng)曝光(guāng)檢測技術(shù)

* 貼裝(zhuāng)後(hòu)全(quán)檢芯片(piàn)崩角(jiǎo) / 芯片(piàn)劃(huà)傷 / 偏移 / 异(yì)物(wù) / 溢胶(jiāo)/ 破損/ 暗(àn)裂缺陷，自(zì)動(dòng)移除NG

* 自(zì)動(dòng)統計(jì)貼裝(zhuāng)CPK中(zhōng)值，自(zì)動(dòng)補償

* 全(quán)保存生(shēng)産过(guò)程图(tú)片(piàn)數據(jù)，为(wèi)客訴追溯提(tí)供證據(jù)支持(chí)

* AI 系(xì)統自(zì)學(xué)習缺陷AOI模型

*3D全(quán)掃描檢測技術(shù)

*點(diǎn)胶(jiāo)前(qián)檢測框架/PKG動(dòng)态高(gāo)度(dù)

*貼裝(zhuāng)後(hòu)檢測 Die 晶片(piàn)俯仰平面(miàn)度(dù)

*貼裝(zhuāng)後(hòu)檢測 Die 晶片(piàn)與(yǔ)基座表(biǎo)面(miàn) Pad 高(gāo)度(dù)